Производитель Номер продукта:
BSP129E6327T
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSP129E6327T-DG
Описание:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Подробное описание:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Инвентаризация:
12845630
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
3qLV
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSP129E6327T Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
240 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
0V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 108µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.7 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
108 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Depletion Mode
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223-4
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
BSP129XTINTR
BSP129XTINCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSP129H6327XTSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4926
Номер части
BSP129H6327XTSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.29
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AO4494
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
AON7556
MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
AOW12N50
MOSFET N-CH 500V 12A TO262
