Производитель Номер продукта:
BSP170PH6327XTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSP170PH6327XTSA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Подробное описание:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Инвентаризация:
1867 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12798799
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSP170PH6327XTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
410 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223-4
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
BSP170
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
BSP170PH6327XTSA1DKR
2832-BSP170PH6327XTSA1
BSP170PH6327XTSA1TR
BSP170PH6327XTSA1CT
SP001058608
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSC079N03SG
MOSFET N-CH 30V 14.6A/40A TDSON
BSP296NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
BSC021N08NS5ATMA1
MOSFET TRENCH 80V TSON-8
