Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BSP89L6327HTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSP89L6327HTSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Подробное описание:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12800765
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
h
A
E
n
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSP89L6327HTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
240 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.8V @ 108µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
140 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223-4-21
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
BSP89
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BSP89L6327HTSA1
HTML Спецификация
BSP89L6327HTSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
BSP89L6327HTSA1CT
BSP89L6327INDKR-DG
BSP89L6327
BSP89L6327INTR
BSP89L6327INTR-DG
BSP89L6327XT
BSP89L6327HTSA1DKR
BSP89L6327INDKR
BSP89 L6327-DG
SP000089216
BSP89L6327INCT-DG
BSP89L6327INCT
BSP89L6327HTSA1TR
BSP89 L6327
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
ZVN4525GTA
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
10504
Номер части
ZVN4525GTA-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.28
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
BSP89,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
11918
Номер части
BSP89,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.15
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
BSP89H6327XTSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7995
Номер части
BSP89H6327XTSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.20
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD50N06S4L12ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
BSC360N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
IPC95R750P7X7SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPB240N03S4LR8ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7