BSS123NH6433XTMA1
Производитель Номер продукта:

BSS123NH6433XTMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

BSS123NH6433XTMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

Инвентаризация:

94164 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12857070
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BSS123NH6433XTMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.8V @ 13µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
20.9 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
BSS123

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
10,000
Другие названия
BSS123NH6433XTMA1TR
SP000939268
BSS123NH6433XTMA1DKR
BSS123NH6433XTMA1CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NTP75N03L09

MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

onsemi

NVMFS5C426NT1G

MOSFET N-CH 40V 5DFN

onsemi

NVTFS5C673NLTAG

MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN

onsemi

NTB6410ANG

MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK