Производитель Номер продукта:
BSS127H6327XTSA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSS127H6327XTSA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Инвентаризация:
101483 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799576
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS127H6327XTSA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
500Ohm @ 16mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 8µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
28 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
BSS127
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BSS127H6327XTSA2TR
BSS127H6327XTSA2DKR
BSS127H6327XTSA2CT
SP000919332
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
IPA65R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
