Производитель Номер продукта:
BSS139H6327XTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSS139H6327XTSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Инвентаризация:
13483 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12802560
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS139H6327XTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
0V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14Ohm @ 100µA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 56µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.5 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
76 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Depletion Mode
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
BSS139
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BSS139 H6327TR-DG
BSS139H6327
BSS139H6327XTSA1TR
BSS139 H6327CT-DG
BSS139 H6327-DG
SP000702610
BSS139H6327XTSA1CT
BSS139H6327XTSA1DKR
BSS139 H6327CT
BSS139 H6327DKR
BSS139 H6327
BSS139 H6327DKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPW60R099CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
IPD80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
IRFR3707ZCTRLP
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
