Производитель Номер продукта:
BSS205NH6327XTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSS205NH6327XTSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 20 V 2.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Инвентаризация:
35030 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12826224
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS205NH6327XTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 11µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
419 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
BSS205
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BSS205N H6327
BSS205NH6327XTSA1CT
BSS205NH6327XTSA1DKR
SP000929180
BSS205N H6327TR-DG
BSS205N H6327CT-DG
2156-BSS205NH6327XTSA1TR
BSS205N H6327DKR
BSS205N H6327DKR-DG
BSS205NH6327XTSA1TR
BSS205N H6327-DG
BSS205N H6327CT
BSS205NH6327
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MCU80N06-TP
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
AUIRFR4620
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
2N7002F,215
MOSFET N-CH 60V 475MA TO236AB
