Производитель Номер продукта:
BSS225L6327HTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSS225L6327HTSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Подробное описание:
N-Channel 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Инвентаризация:
12799073
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS225L6327HTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
45Ohm @ 90mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 94µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
131 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT89
Упаковка / Чехол
TO-243AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
BSS225L6327HTSA1TR
BSS225L6327XT
BSS225 L6327
SP000095776
BSS225 L6327-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSS225H6327FTSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5690
Номер части
BSS225H6327FTSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.19
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSP135H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
AUIRF1010Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
AUIRFZ44ZSTRL
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
