Производитель Номер продукта:
BSS314PEH6327XTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSS314PEH6327XTSA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Подробное описание:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Инвентаризация:
37184 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799029
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS314PEH6327XTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
140mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 6.3µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
294 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
BSS314
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BSS314PE H6327CT-DG
BSS314PEH6327XTSA1CT
BSS314PEH6327XTSA1TR
BSS314PE H6327DKR
BSS314PEH6327XTSA1DKR
BSS314PE H6327CT
BSS314PE H6327-DG
BSS314PE H6327DKR-DG
SP000928944
BSS314PE H6327
BSS314PE H6327TR-DG
BSS314PEH6327
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS7728NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
BSP149H6327XTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSC350N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
