Производитель Номер продукта:
BSS316NH6327XTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSS316NH6327XTSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Инвентаризация:
619546 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12838489
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS316NH6327XTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 3.7µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.6 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
94 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
BSS316
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SP000928948
BSS316N H6327DKR-DG
BSS316N H6327
BSS316N H6327-DG
BSS316NH6327XTSA1DKR
BSS316NH6327XTSA1CT
BSS316N H6327TR-DG
BSS316NH6327
BSS316N H6327CT-DG
BSS316N H6327CT
BSS316NH6327XTSA1TR
BSS316N H6327DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HUF76013P3
MOSFET N-CH 20V 20A TO220-3
3LN01C-TB-H
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
FDMS36101L-F085
MOSFET N-CH 100V 38A POWER56
