BSS816NWH6327XTSA1
Производитель Номер продукта:

BSS816NWH6327XTSA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

BSS816NWH6327XTSA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Подробное описание:
N-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323

Инвентаризация:

141893 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12855142
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BSS816NWH6327XTSA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 2.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
750mV @ 3.7µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
180 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT323
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323
Базовый номер продукта
BSS816

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
INFINFBSS816NWH6327XTSA1
BSS816NWH6327XTSA1DKR
BSS816NWH6327XTSA1TR
2156-BSS816NWH6327XTSA1
SP000917562
BSS816NWH6327XTSA1CT
BSS816NWH6327XTSA1-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

MCH3475-TL-W

MOSFET N-CH 30V 1.8A SC70

onsemi

STD110N02RT4G

MOSFET N-CH 24V 32A DPAK

infineon-technologies

IRL3715STRLPBF

MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK