Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BSS83PE6327
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSS83PE6327-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Подробное описание:
P-Channel 60 V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12801017
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS83PE6327 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
330mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2Ohm @ 330mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.57 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
78 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BSS83PE6327
HTML Спецификация
BSS83PE6327-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BSS83PE6327XTINCT-DG
BSS83PE6327XT
SP000012075
BSS83PE6327INCT
BSS83PE6327INTR
BSS83PE6327XTINCT
BSS83PE6327XTINTR-DG
BSS83PE6327INCT-NDR
BSS83PE6327INTR-NDR
BSS83PE6327XTINTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSS83PH6327XTSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
107633
Номер части
BSS83PH6327XTSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.08
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
BSH201,215
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
23617
Номер части
BSH201,215-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.08
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
2N7002KT1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
209815
Номер части
2N7002KT1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
2SJ168TE85LF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
865
Номер части
2SJ168TE85LF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.27
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF9540NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
IPD65R660CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
IPB08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A D2PAK
IPP048N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3