BSS83PE6327
Производитель Номер продукта:

BSS83PE6327

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

BSS83PE6327-DG

Описание:

MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Подробное описание:
P-Channel 60 V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

Инвентаризация:

12801017
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BSS83PE6327 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
330mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2Ohm @ 330mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.57 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
78 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BSS83PE6327XTINCT-DG
BSS83PE6327XT
SP000012075
BSS83PE6327INCT
BSS83PE6327INTR
BSS83PE6327XTINCT
BSS83PE6327XTINTR-DG
BSS83PE6327INCT-NDR
BSS83PE6327INTR-NDR
BSS83PE6327XTINTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095

Альтернативные модели

Номер детали
BSS83PH6327XTSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
107633
Номер части
BSS83PH6327XTSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.08
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
BSH201,215
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
23617
Номер части
BSH201,215-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.08
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
2N7002KT1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
209815
Номер части
2N7002KT1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
2SJ168TE85LF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
865
Номер части
2SJ168TE85LF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.27
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRF9540NSTRLPBF

MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK

infineon-technologies

IPD65R660CFDATMA1

MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3

infineon-technologies

IPB08CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 95A D2PAK

infineon-technologies

IPP048N04NGXKSA1

MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3