Производитель Номер продукта:
BSZ028N04LSATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSZ028N04LSATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Подробное описание:
N-Channel 40 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Инвентаризация:
16312 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12798836
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSZ028N04LSATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2300 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 63W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSDSON-8-FL
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSZ028
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-BSZ028N04LSATMA1TR
448-BSZ028N04LSATMA1CT
BSZ028N04LSATMA1-DG
SP001067016
448-BSZ028N04LSATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSC0500NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
62-0063PBF
MOSFET N-CH 12V 15A 8SO
BSC130P03LSGAUMA1
MOSFET P-CH 30V 12A/22.5A TDSON
