Производитель Номер продукта:
BSZ060NE2LSATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSZ060NE2LSATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Подробное описание:
N-Channel 25 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Инвентаризация:
58175 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12852804
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSZ060NE2LSATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
670 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 26W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSDSON-8-FL
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSZ060
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSZ060NE2LS
BSZ060NE2LS-DG
BSZ060NE2LSATMA1CT
BSZ060NE2LSDKR-DG
BSZ060NE2LSCT-DG
SP000776122
BSZ060NE2LSTR-DG
BSZ060NE2LSATMA1DKR
BSZ060NE2LSDKR
BSZ060NE2LSATMA1TR
BSZ060NE2LSCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MCH3374-TL-W
MOSFET P-CH 12V 3A SC70FL/MCPH3
2SK3482-AZ
MOSFET N-CH 100V 36A TO251
MCH3375-TL-H
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70
