Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BSZ086P03NS3GATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSZ086P03NS3GATMA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Подробное описание:
P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Инвентаризация:
6668 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12856311
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSZ086P03NS3GATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13.5A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.1V @ 105µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
57.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4785 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSDSON-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSZ086
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BSZ086P03NS3GATMA1
HTML Спецификация
BSZ086P03NS3GATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSZ086P03NS3 G-DG
BSZ086P03NS3 GDKR-DG
BSZ086P03NS3G
BSZ086P03NS3 GCT
BSZ086P03NS3 G
SP000473024
BSZ086P03NS3 GDKR
BSZ086P03NS3GATMA1DKR
BSZ086P03NS3 GTR-DG
BSZ086P03NS3GATMA1TR
BSZ086P03NS3 GCT-DG
BSZ086P03NS3GATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTLUS3A18PZCTAG
MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
NTP6413ANG
MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
SCH1335-TL-H
MOSFET P-CH 12V 2.5A 6SCH
NTP6410ANG
MOSFET N-CH 100V 76A TO220AB