Производитель Номер продукта:
BSZ0902NSATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSZ0902NSATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Подробное описание:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Инвентаризация:
99855 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800201
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Tx1W
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSZ0902NSATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1700 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 48W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSDSON-8-FL
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSZ0902
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSZ0902NS
BSZ0902NS-DG
BSZ0902NSDKR-DG
SP000854386
BSZ0902NSATMA1CT
INFINFBSZ0902NSATMA1
BSZ0902NSCT
BSZ0902NSATMA1DKR
BSZ0902NSDKR
BSZ0902NSTR-DG
BSZ0902NSATMA1TR
BSZ0902NSCT-DG
2156-BSZ0902NSATMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS127 E6327
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
IGT60R190D1SATMA1
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
IPD30N03S2L10ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3