Производитель Номер продукта:
BSZ0909NSATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSZ0909NSATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Подробное описание:
N-Channel 34 V 9A (Ta), 36A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Инвентаризация:
42043 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799150
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSZ0909NSATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
34 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Ta), 36A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1310 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSDSON-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSZ0909
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSZ0909NSDKR-DG
BSZ0909NSCT
BSZ0909NSCT-DG
2156-BSZ0909NSATMA1TR
SP000832568
BSZ0909NSDKR
BSZ0909NS
BSZ0909NSTR-DG
BSZ0909NSATMA1TR
BSZ0909NS-DG
BSZ0909NSATMA1CT
BSZ0909NSATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSL211SPT
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
BSL303SPEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6
IPA50R650CE
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220-FP
