Производитель Номер продукта:
BSZ110N08NS5ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSZ110N08NS5ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Подробное описание:
N-Channel 80 V 40A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Инвентаризация:
56961 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799514
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSZ110N08NS5ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 22µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSDSON-8-FL
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSZ110
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSZ110N08NS5ATMA1CT
SP001154280
BSZ110N08NS5ATMA1DKR
BSZ110N08NS5ATMA1TR
BSZ110N08NS5ATMA1-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSP318S E6327
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
BS7067N06LS3G
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
BSC030N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
