Производитель Номер продукта:
BSZ123N08NS3GATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSZ123N08NS3GATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Подробное описание:
N-Channel 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Инвентаризация:
52793 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12844871
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSZ123N08NS3GATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 33µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1700 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 66W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSDSON-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
BSZ123
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSZ123N08NS3GINCT-DG
BSZ123N08NS3GATMA1CT
BSZ123N08NS3GINTR-DG
BSZ123N08NS3GXT
BSZ123N08NS3 G
BSZ123N08NS3GINTR
BSZ123N08NS3G
BSZ123N08NS3GATMA1TR
SP000443632
BSZ123N08NS3GINCT
BSZ123N08NS3GATMA1DKR
BSZ123N08NS3GINDKR-DG
BSZ123N08NS3GINDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AO4444
MOSFET N-CH 80V 11A 8SOIC
NTLGF3501NT1G
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
AO4576
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
