Производитель Номер продукта:
BSZ150N10LS3GATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSZ150N10LS3GATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Подробное описание:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Инвентаризация:
9240 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800223
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSZ150N10LS3GATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 33µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 63W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSDSON-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSZ150
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSZ150N10LS3GATMA1TR
BSZ150N10LS3GATMA1DKR
BSZ150N10LS3GATMA1CT
BSZ150N10LS3GATMA1-DG
SP001002916
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB80R290C3AATMA2
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
IPA60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
IMW120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
