BSZ16DN25NS3GATMA1
Производитель Номер продукта:

BSZ16DN25NS3GATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

BSZ16DN25NS3GATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Подробное описание:
N-Channel 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

Инвентаризация:

1098 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799677
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BSZ16DN25NS3GATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
165mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 32µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
920 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
62.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSDSON-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSZ16DN25

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
BSZ16DN25NS3GATMA1
HTML Спецификация
BSZ16DN25NS3GATMA1-DG

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSZ16DN25NS3GATMA1DKR
BSZ16DN25NS3GDKR-DG
BSZ16DN25NS3GTR-DG
SP000781800
BSZ16DN25NS3GCT
BSZ16DN25NS3GATMA1CT
BSZ16DN25NS3G
BSZ16DN25NS3GCT-DG
BSZ16DN25NS3GATMA1TR
BSZ16DN25NS3 G
BSZ16DN25NS3GTR
BSZ16DN25NS3GDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
BSC16DN25NS3GATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6986
Номер части
BSC16DN25NS3GATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.83
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Связанные продукты
infineon-technologies

BSC059N03ST

MOSFET N-CH 30V 19A/89A TDSON

infineon-technologies

IPD50P04P4L11ATMA1

MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

infineon-technologies

BSC025N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON

infineon-technologies

BSS192PH6327XTSA1

MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89