Производитель Номер продукта:
BSZ180P03NS3EGATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSZ180P03NS3EGATMA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Подробное описание:
P-Channel 30 V 9A (Ta), 39.5A (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Инвентаризация:
7934 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799533
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSZ180P03NS3EGATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Ta), 39.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.1V @ 48µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2220 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 40W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSDSON-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSZ180
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSZ180P03NS3E G
BSZ180P03NS3EGATMA1TR
BSZ180P03NS3E G-DG
BSZ180P03NS3EGATMA1CT
BSZ180P03NS3EGATMA1DKR
SP000709740
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPA60R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP
BSC035N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
IAUT165N08S5N029ATMA2
MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
