Производитель Номер продукта:
BTS121ANKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BTS121ANKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 22A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
12800177
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BTS121ANKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
TEMPFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
95W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
BTS121AIN
SP000011200
INFINFBTS121ANKSA1
BTS121A
BTS121AIN-DG
2156-BTS121ANKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSC084P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
IPD50R2K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
IPD096N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
