Производитель Номер продукта:
BTS282ZE3180AATMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BTS282ZE3180AATMA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
Подробное описание:
N-Channel 49 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-1
Инвентаризация:
12799743
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BTS282ZE3180AATMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
TEMPFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
49 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 240µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
232 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Temperature Sensing Diode
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-7-1
Упаковка / Чехол
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Базовый номер продукта
BTS282
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
INFINFBTS282ZE3180AATMA2
BTS282ZE3180AATMA2DKR
BTS282ZE3180AATMA2-DG
SP000910848
2156-BTS282ZE3180AATMA2
BTS282ZE3180AATMA2CT
BTS282ZE3180AATMA2TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
BSC019N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
IPA65R310CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
