Производитель Номер продукта:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-DG
Описание:
SIC 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Подробное описание:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 85A (Tj) Chassis Mount AG-EASY2B
Инвентаризация:
45 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12996907
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tray
Серия
EasyPACK™
Статус продукта
Active
Технологии
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
85A (Tj)
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 100A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.15V @ 40mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
297nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8800pF @ 800V
Мощность - Макс
-
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Упаковка / Чехол
Module
Комплект устройства поставщика
AG-EASY2B
Базовый номер продукта
F3L8MR12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
18
Другие названия
448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
SP005562921
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AOMU66414Q
MOSFET 2N-CH 40V 40A/85A 8DFN
FDSS2407_SB82086
MOSFET N-CH
CSD86356Q5D
MOSFET 25V
