Производитель Номер продукта:
FF8MR12W2M1B11BOMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
FF8MR12W2M1B11BOMA1-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Подробное описание:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 150A (Tj) Chassis Mount AG-EASY2BM-2
Инвентаризация:
12801513
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FF8MR12W2M1B11BOMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolSiC™+
Статус продукта
Obsolete
Технологии
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
150A (Tj)
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.55V @ 60mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
372nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11000pF @ 800V
Мощность - Макс
-
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Упаковка / Чехол
Module
Комплект устройства поставщика
AG-EASY2BM-2
Базовый номер продукта
FF8MR12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
15
Другие названия
SP001617622
2156-FF8MR12W2M1B11BOMA1
INFINFFF8MR12W2M1B11BOMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7503TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
EPC2102
GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
CSD86356Q5D
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
