Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
FS55MR12W1M1HB11NPSA1-DG
Описание:
SIC 6N-CH 1200V 15A AG-EASY1B
Подробное описание:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 15A (Tj) Chassis Mount AG-EASY1B
Инвентаризация:
21 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12973919
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FS55MR12W1M1HB11NPSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tray
Серия
EasyPACK™, CoolSiC™
Статус продукта
Active
Технологии
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация
6 N-Channel (Full Bridge)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Tj)
Rds On (макс.) @ id, vgs
79mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.15V @ 6mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1350pF @ 800V
Мощность - Макс
-
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Упаковка / Чехол
Module
Комплект устройства поставщика
AG-EASY1B
Базовый номер продукта
FS55MR12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
HTML Спецификация
FS55MR12W1M1HB11NPSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
24
Другие названия
SP005551133
448-FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MSCSM70DUM10T3AG
SIC 2N-CH 700V 241A SP3F
MSCSM70AM025CD3AG
SIC 700V 538A D3
PJS6815_S1_00001
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A SOT23-6
PJT7828_R1_00001
MOSFET 2N-CH 30V 0.3A SOT363