IAUC120N06S5N017ATMA1
Производитель Номер продукта:

IAUC120N06S5N017ATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IAUC120N06S5N017ATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Подробное описание:
N-Channel 60 V 120A (Tj) 167W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-43

Инвентаризация:

8458 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12978487
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IAUC120N06S5N017ATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tj)
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.4V @ 94µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
95.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6952 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
167W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-43
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
IAUC120

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-IAUC120N06S5N017ATMA1TR
448-IAUC120N06S5N017ATMA1DKR
448-IAUC120N06S5N017ATMA1CT
SP003244386

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRFR010PBF-BE3

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

diodes

DMP510DLQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R

diodes

DMTH8001STLW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

diodes

DMT10H9M9LPSW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50