Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IAUC120N06S5N017ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IAUC120N06S5N017ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Подробное описание:
N-Channel 60 V 120A (Tj) 167W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-43
Инвентаризация:
8458 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12978487
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IAUC120N06S5N017ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tj)
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.4V @ 94µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
95.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6952 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
167W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-43
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
IAUC120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IAUC120N06S5N017ATMA1
HTML Спецификация
IAUC120N06S5N017ATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-IAUC120N06S5N017ATMA1TR
448-IAUC120N06S5N017ATMA1DKR
448-IAUC120N06S5N017ATMA1CT
SP003244386
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR010PBF-BE3
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
DMP510DLQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
DMTH8001STLW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
DMT10H9M9LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50