Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IAUC60N04S6N050HATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IAUC60N04S6N050HATMA1-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Подробное описание:
Mosfet Array 40V 60A (Tj) 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-57
Инвентаризация:
4533 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12948855
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IAUC60N04S6N050HATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tj)
Rds On (макс.) @ id, vgs
5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 13µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1027pF @ 25V
Мощность - Макс
52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-57
Базовый номер продукта
IAUC60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IAUC60N04S6N050HATMA1
HTML Спецификация
IAUC60N04S6N050HATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-IAUC60N04S6N050HATMA1DKR
SP003863384
448-IAUC60N04S6N050HATMA1TR
448-IAUC60N04S6N050HATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IAUC60N04S6L030HATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
UT6JB5TCR
MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8
UT6JC5TCR
MOSFET 2P-CH 60V 2.5A HUML2020L8
QH8JB5TCR
MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8