Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IAUCN04S6N013TATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IAUCN04S6N013TATMA1-DG
Описание:
MOSFET_(20V 40V)
Подробное описание:
N-Channel 40 V 230A (Tc) 133W (Tc) Surface Mount PG-LHDSO-10-1
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13000545
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IAUCN04S6N013TATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
230A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.32mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 60µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4810 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
133W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-LHDSO-10-1
Упаковка / Чехол
10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Базовый номер продукта
IAUCN04
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SP005616773
448-IAUCN04S6N013TATMA1CT
448-IAUCN04S6N013TATMA1TR
448-IAUCN04S6N013TATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IAUCN04S6N007TATMA1
MOSFET_(20V 40V)
DMN3066LQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
IDYH40G200C5XKSA1
SIC DISCRETE
STL320N4LF8
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V