Производитель Номер продукта:
IGLD60R190D1AUMA3
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IGLD60R190D1AUMA3-DG
Описание:
GAN HV
Подробное описание:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1
Инвентаризация:
2344 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965865
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IGLD60R190D1AUMA3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolGaN™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.6V @ 960µA
Vgs (макс.)
-10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
157 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
62.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-LSON-8-1
Упаковка / Чехол
8-LDFN Exposed Pad
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
448-IGLD60R190D1AUMA3DKR
448-IGLD60R190D1AUMA3TR
448-IGLD60R190D1AUMA3CT
SP005557217
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IGOT60R070D1E8220AUMA1
GAN HV
IGT60R190D1ATMA1
GAN HV
IGO60R070D1E8220AUMA1
GAN HV