IGO60R070D1AUMA2
Производитель Номер продукта:

IGO60R070D1AUMA2

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IGO60R070D1AUMA2-DG

Описание:

GAN HV
Подробное описание:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-DSO-20-85

Инвентаризация:

12967530
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IGO60R070D1AUMA2 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolGaN™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (макс.)
-10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
380 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-DSO-20-85
Упаковка / Чехол
20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Базовый номер продукта
IGO60

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800
Другие названия
448-IGO60R070D1AUMA2TR
SP005557222
448-IGO60R070D1AUMA2DKR
448-IGO60R070D1AUMA2CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

2SJ636-TL-E

PCH 4V DRIVE SERIES

renesas-electronics-america

H7N0608LS90TL-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

rohm-semi

BSS138BKAHZGT116

NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG

renesas-electronics-america

2SJ387STL-E

P-CHANNEL POWER MOSFET