Производитель Номер продукта:
IGOT60R042D1AUMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IGOT60R042D1AUMA2-DG
Описание:
GANFET N-CH
Подробное описание:
N-Channel 600 V Surface Mount PG-DSO-20-87
Инвентаризация:
12965625
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IGOT60R042D1AUMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
-
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
-
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-DSO-20-87
Упаковка / Чехол
20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
SP005557231
448-IGOT60R042D1AUMA2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS138BWAHZGT106
NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
PJE138K-AU_R1_000A1
SOT-523, MOSFET
R6515KNX3C16
650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
