Производитель Номер продукта:
IMBG120R060M1HXTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IMBG120R060M1HXTMA1-DG
Описание:
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 181W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Инвентаризация:
1968 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12945925
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IMBG120R060M1HXTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolSiC™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
83mOhm @ 13A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.7V @ 5.6mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+18V, -15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1145 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
181W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-7-12
Упаковка / Чехол
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Базовый номер продукта
IMBG120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-IMBG120R060M1HXTMA1TR
448-IMBG120R060M1HXTMA1DKR
448-IMBG120R060M1HXTMA1CT
SP004363744
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IAUC120N06S5L032ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
IMBG120R030M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
IAUZ40N06S5N050ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
