Производитель Номер продукта:
IMT65R107M1HXUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IMT65R107M1HXUMA1-DG
Описание:
SILICON CARBIDE MOSFET
Подробное описание:
650 V Surface Mount PG-HSOF-8-1
Инвентаризация:
1950 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12989069
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IMT65R107M1HXUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolSiC™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
-
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
-
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
-
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOF-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
448-IMT65R107M1HXUMA1TR
448-IMT65R107M1HXUMA1DKR
SP005716854
448-IMT65R107M1HXUMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN3030LFG-13
DMN3030LFG-13
MCU95N06KY-TP
N-CHANNEL MOSFET,DPAK
SI0301-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
