Производитель Номер продукта:
IMW120R007M1HXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IMW120R007M1HXKSA1-DG
Описание:
SIC DISCRETE
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Инвентаризация:
159 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12999185
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IMW120R007M1HXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolSiC™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
225A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V, 18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.9mOhm @ 108A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.2V @ 47mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
220 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+20V, -5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9170 nF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
750W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
448-IMW120R007M1HXKSA1
SP005425447
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM1NB60CP
600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM300NB06LCV
60V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWER
IMZA120R007M1HXKSA1
SIC DISCRETE
