Производитель Номер продукта:
IMW120R030M1HXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IMW120R030M1HXKSA1-DG
Описание:
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Инвентаризация:
1690 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801405
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IMW120R030M1HXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolSiC™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V, 18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
40mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.7V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+23V, -7V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2120 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
227W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3-41
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IMW120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
448-IMW120R030M1HXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1-DG
SP001727390
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
IPB120P04P4L03ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
CSD23285F5T
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
