Производитель Номер продукта:
IMW120R090M1HXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IMW120R090M1HXKSA1-DG
Описание:
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Инвентаризация:
344 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800732
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IMW120R090M1HXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolSiC™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V, 18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
117mOhm @ 8.5A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.7V @ 3.7mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+23V, -7V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
707 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
115W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3-41
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IMW120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
2156-IMW120R090M1HXKSA1-448
SP001946164
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
BSS119NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
IPB049N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
