Производитель Номер продукта:
IMYH200R100M1HXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IMYH200R100M1HXKSA1-DG
Описание:
SIC DISCRETE
Подробное описание:
N-Channel 2000 V 26A (Tc) 217W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U04
Инвентаризация:
13002564
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IMYH200R100M1HXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolSiC™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
2000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V, 18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
131mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 6mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+20V, -7V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
217W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-4-U04
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Базовый номер продукта
IMYH200
Дополнительная информация
Стандартный пакет
240
Другие названия
SP005427376
448-IMYH200R100M1HXKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH10H032LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
DMN2009UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
G75P04D5
MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L
