Производитель Номер продукта:
IMZA120R030M1HXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IMZA120R030M1HXKSA1-DG
Описание:
SIC DISCRETE
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 70A (Tc) 273W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U02
Инвентаризация:
240 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000563
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IMZA120R030M1HXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolSiC™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V, 18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.2V @ 11mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+20V, -7V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2160 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
273W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-4-U02
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
240
Другие названия
SP005425985
448-IMZA120R030M1HXKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ISK024NE2LM5AUSA1
TRENCH <= 40V
IAUCN04S7N005ATMA1
MOSFET_(20V 40V)
IRF8714TRPBFXTMA1
TRENCH <= 40V
