IPA028N04NM3SXKSA1
Производитель Номер продукта:

IPA028N04NM3SXKSA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPA028N04NM3SXKSA1-DG

Описание:

TRENCH <= 40V PG-TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 40 V 89A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Инвентаризация:

500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12968773
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPA028N04NM3SXKSA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
89A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 89A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 95µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9500 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
38W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
500
Другие названия
448-IPA028N04NM3SXKSA1
SP005351627
2156-IPA028N04NM3SXKSA1-448

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPBE65R115CFD7AATMA1

AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF125A60L

MOSFET N-CH 600V 28A TO220F

infineon-technologies

IRF150DM115XTMA1

TRENCH >=100V DIRECTFET

alpha-and-omega-semiconductor

AOD600A70R

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252