Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPA037N08N3GXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA037N08N3GXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-FP
Подробное описание:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентаризация:
436 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799822
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA037N08N3GXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 155µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8110 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
41W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA037
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPA037N08N3GXKSA1
HTML Спецификация
IPA037N08N3GXKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
IPA037N08N3G
IPA037N08N3 G-DG
INFINFIPA037N08N3GXKSA1
2156-IPA037N08N3GXKSA1
IPA037N08N3 G
SP000446772
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK100A08N1,S4X
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
TK100A08N1,S4X-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.57
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPAW60R600P7SE8228XKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
IPA60R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP
IPA80R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
BSP300 E6327
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4