Производитель Номер продукта:
IPA057N08N3GXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA057N08N3GXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 60A TO220-FP
Подробное описание:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 39W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентаризация:
450 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803326
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA057N08N3GXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4750 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
39W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA057
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
IPA057N08N3 G
SP000454442
IPA057N08N3GXKSA1-DG
IPA057N08N3 G-DG
448-IPA057N08N3GXKSA1
IPA057N08N3G
2156-IPA057N08N3GXKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB020N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
IPA50R190CE
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-FP
IRF8714GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO