Производитель Номер продукта:
IPA086N10N3GXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA086N10N3GXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
Подробное описание:
N-Channel 100 V 45A (Tc) 37.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентаризация:
2998 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799296
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA086N10N3GXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 75µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3980 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
37.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA086
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
2156-IPA086N10N3GXKSA1
IPA086N10N3 G-DG
IPA086N10N3G
INFINFIPA086N10N3GXKSA1
SP000485984
IPA086N10N3 G
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSC035N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
BSS159NL6906HTSA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
BSS87L6327HTSA1
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89
