Производитель Номер продукта:
IPA180N10N3GXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA180N10N3GXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
Подробное описание:
N-Channel 100 V 28A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентаризация:
12800546
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA180N10N3GXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 35µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1800 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
30W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
IPA1-DG80N10N3GXKSA1-DG
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-DG
IFEINFIPA180N10N3GXKSA1
SP000480108
IPA180N10N3G
2156-IPA180N10N3GXKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPP180N10N3GXKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
170
Номер части
IPP180N10N3GXKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.42
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSC016N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
IPB70P04P409ATMA1
MOSFET N-CH 40V 72A D2PAK
IPC60R3K3C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
