Производитель Номер продукта:
IPA50R190CEXKSA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA50R190CEXKSA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220
Подробное описание:
N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентаризация:
735 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804898
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA50R190CEXKSA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
13V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 510µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1137 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
32W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA50R190
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
INFINFIPA50R190CEXKSA2
SP001364312
2156-IPA50R190CEXKSA2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR4104TR
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF7353D1TR
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
IRF6622TRPBF
MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
