Производитель Номер продукта:
IPA600N25NM3SXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA600N25NM3SXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 15A TO220
Подробное описание:
N-Channel 250 V 15A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Инвентаризация:
404 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13276417
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA600N25NM3SXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™3
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 89µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2300 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
38W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220 Full Pack
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA600
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
2156-IPA600N25NM3SXKSA1-448
SP001953008
448-IPA600N25NM3SXKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPAN60R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
IPLK80R1K2P7ATMA1
MOSFET 800V TDSON-8
BSC096N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
