Производитель Номер продукта:
IPA60R120P7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA60R120P7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Подробное описание:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Инвентаризация:
188 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800353
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA60R120P7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
120mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 410µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1544 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
28W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220 Full Pack
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
2156-IPA60R120P7XKSA1
IFEINFIPA60R120P7XKSA1
SP001658376
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB80P04P4L08ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
IPD600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
IPI90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
