Производитель Номер продукта:
IPA65R190C7
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA65R190C7-DG
Описание:
IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Подробное описание:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Инвентаризация:
12946881
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA65R190C7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 290µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1150 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
30W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220 Full Pack
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
194
Другие названия
2156-IPA65R190C7
IFEINFIPA65R190C7
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDPF5N50FT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FDA16N50LDTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
IRFH7914TRPBF
IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO