Производитель Номер продукта:
IPA65R400CEXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA65R400CEXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V TO220
Подробное описание:
N-Channel 650 V 15.1A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентаризация:
235 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801088
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA65R400CEXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 320µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
710 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
31W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA65R400
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
448-IPA65R400CEXKSA1
IPA65R400CEXKSA1-DG
SP001429766
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD70R1K4P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
IPD16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
IPD135N03LGBTMA1
LV POWER MOS
